제품 속성
유형
설명하다
범주
이산 반도체 제품
트랜지스터 – FET, MOSFET – 단일
제조사
인피니언 테크놀로지스
시리즈
CoolGaN™
패키지
테이프 및 릴(TR)
전단 밴드(CT)
Digi-Reel® 맞춤형 릴
제품 상태
단종
FET 유형
N 채널
기술
GaNFET(질화갈륨)
드레인 소스 전압(Vdss)
600V
25°C에서의 전류 – 연속 드레인(Id)
31A(시)
드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
-
다른 Id, Vgs에서 온 저항(최대)
-
서로 다른 ID에서 Vgs(th)(최대)
1.6V @ 2.6mA
Vgs(최대)
-10V
서로 다른 Vds(최대)에서 입력 커패시턴스(Ciss)
380pF @ 400V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W(시)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
설치 유형
표면 실장 유형
공급업체 장치 패키징
PG-DSO-20-87
패키지/인클로저
20-PowerSOIC(0.433″, 폭 11.00mm)
기본 제품 번호
아이갓60
미디어 및 다운로드
리소스 유형
링크
명세서
IGOT60R070D1
GaN 선택 가이드
CoolGaN™ 600V e-모드 GaN HEMT 개요
기타 관련 문서
어댑터/충전기의 GaN
서버 및 텔레콤의 GaN
CoolGaN의 실현 가능성 및 자격
왜 CoolGaN인가
무선 충전의 GaN
비디오 파일
GaN EiceDRIVER™를 갖춘 CoolGaN™ 600V e-모드 HEMT 하프 브리지 평가 플랫폼
CoolGaN™ – 새로운 전력 패러다임
CoolGaN™ 600V를 사용하는 2500W 풀 브리지 토템폴 PFC 평가 보드
HTML 사양
CoolGaN™ 600V e-모드 GaN HEMT 개요
IGOT60R070D1
환경 및 수출 분류
속성
설명하다
RoHS 상태
ROHS3 사양 준수
수분 민감도 수준(MSL)
3(168시간)
REACH 상태
비REACH 제품
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
